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在重掺杂的n型锗中解散供体散布簇
Dissolution of donor-vacancy clusters in heavily doped n-type germanium
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论文摘要
GE的N型掺杂是一个自限制的过程，这是由于空缺符号复合物的形成（N <= 4的DNV），它停用了供体。这项工作明确地表明，可以通过毫秒约1050 k的毫秒闪光灯将载体的P4V簇的溶解可以实现。P4V群集溶解使载体浓度与抑制磷酸化相结合，使载体浓度增加了三倍以上。电化学电容 - 电压测量与次级离子质谱法，正电子歼灭的寿命光谱和理论计算使我们能够解决和理解一个基本问题，从而妨碍了GE与互补的金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物技术。
The n-type doping of Ge is a self-limiting process due to the formation of vacancy-donor complexes (DnV with n <= 4) that deactivate the donors. This work unambiguously demonstrates that the dissolution of the dominating P4V clusters in heavily phosphorus-doped Ge epilayers can be achieved by millisecond-flash lamp annealing at about 1050 K. The P4V cluster dissolution increases the carrier concentration by more than three-fold together with a suppression of phosphorus diffusion. Electrochemical capacitance-voltage measurements in conjunction with secondary ion mass spectrometry, positron annihilation lifetime spectroscopy and theoretical calculations enabled us to address and understand a fundamental problem that has hindered so far the full integration of Ge with complementary-metal-oxide-semiconductor technology.
